| 图片 |
标 题 |
更新时间 |
 |
日立ABB IGBT模块5SLD1200J450350
ABB IGBT模块5SLD1200J4503505SLD 1200J450350HiPak DIODE ModuleVRRM = 4500 VIF = 2 x 1200 A超低损耗、坚固耐用的SPT+二极管
|
2025-06-18 |
 |
日立ABB IGBT模块5SNA1500G450350
ABB IGBT模块5SNA1500G4503505SNA 1500G450350HiPak IGBT ModuleVCE = 4500 VIC = 1500 A超低损耗SPT++技术具有增加的二极管面积
|
2025-06-18 |
 |
日立ABB IGBT模块5SLD1500J450350
ABB IGBT模块5SLD1500J4503505SLD 1500J450350HiPak Diode moduleVCE = 4500 VIC = 2x 1500 A超低损耗、坚固耐用的SPT++二极管卓
|
2025-06-18 |
 |
日立ABB IGBT模块5SNA1500G450300
ABB IGBT模块5SNA1500G4503005SNA 1500G450300HiPak IGBT ModuleVCE = 4500 VIC = 1500 A超低损耗SPT++技术具有增加的二极管面积
|
2025-06-18 |
 |
日立ABB GTO二极管5SGA 20H4502
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H4502VDRM= 4500 VITGQM= 2000 AITSM= 13 kAVT0= 1.80 VrT= 0.85 mΩVDClin= 2200 V 专利自由漂
|
2025-06-18 |
 |
日立ABB IGBT模块5SNA 0750G650300
ABB IGBT模块5SNA0750G650300ABB HiPakIGBT Module5SNA 0750G650300VCE = 6500 VIC = 750 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换
|
2025-06-18 |
 |
日立ABB GTO二极管5SGA 15F2502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 15F2502VDRM=2500 VITGQM=1500 AITSM= 10103AVT0=1.45 VrT=0.90 mWVDclink=1400 V 专利
|
2025-06-18 |
 |
日立ABB IGBT模块5SLD 0600J650100
供应ABB高压IGBT模块5SLD 0600J650100价格：电议/面议起订量： 1供货总量： 999发货期： 10天内发货包装说明:： 盒装产品规格：
|
2025-06-18 |
产品分类